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Actualité publiée le 09/02/2009 à 18h10 par David

Catégories : matériel, mémoire

Hynix annonce avoir gravé la première puce 1 Gb (128 Mo) de DDR3 en 40 nm. Cette nouvelle puce peut fonctionner jusqu'à 2133 Mb/s suivant la tension appliquée.

Grâce à cette nouvelle finesse de gravure qui permet d'intégrer plus de puces par wafer le gain de productivité pourrait atteindre 50 %. Ce type de puce devrait être fabriqué à partir du troisième trimestre 2009.

Un premier module composé des nouvelles puces Hynix devrait être testé rapidement sur un processeur Intel Core i7.

 

09 02 2009 hynix ddr3 40nm 

Source : Hynix / Matbe

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