C'est celle qui tient la fréquence de 1600 MHz avec le moins de latence, donc ça impact le choix
Pour t'aider voici deux articles qui expliquent ce qu'est la mémoire ram et surtout la latence CAS :
En informatique à propos d'une mémoire RAM, correspond au nombre de cycles d'horloge précédant l'acheminement des données après la réception d'une commande, ce délai dépend du temps de réaction interne.
Il est lié au temps d'accès RAS (abréviation de Row Address Strobe) - CAS (Column Address Strobe) d'une adresse, et le délai que le circuit prend pour renvoyer le contenu sur le bus de données. Elle est exprimée en nano-seconde, mais plus généralement en temps d'horloge.
La mémoire avec une latence CAS faible est plus rapide que celle présentant une latence CAS élevée, plus la CL est élevée (ea. CL5), plus elle est lente.
C'est donc le rapport entre le temps d'accès de colonne et le temps de cycle d'horloge. La latence CAS 2 ( CL2) offre une légère augmentation de performance par rapport à la latence CAS 3 (CL3).
Cependant, un système ne sera pas nécessairement plus rapide si on opte pour une mémoire vive plus rapide. La vitesse d'un ordinateur étant basée sur celle de la 'liaison la plus lente', on ne peut doper un système en y ajoutant de la mémoire plus rapide que celle dont on dispose.
En conclusion, plus le temps de latence est faible, meilleures sont les performances.
de Wiki et celui de comment ça marche :
La mémoire vive est constituée de centaines de milliers de petits condensateurs emmagasinant des charges. Lorsqu'il est chargé, l'état logique du condensateur est égal à 1, dans le cas contraire il est à 0, ce qui signifie que chaque condensateur représente un bit de la mémoire.
Etant donné que les condensateurs se déchargent, il faut constamment les recharger (le terme exact est rafraîchir, en anglais refresh) à un intervalle de temps régulier appelé cycle de rafraîchissement. Les mémoires DRAM nécessitent par exemple des cycles de rafraîchissement est d'environ 15 nanosecondes (ns).
Chaque condensateur est couplé à un transistor (de type MOS) permettant de « récupérer » ou de modifier l'état du condensateur. Ces transistors sont rangés sous forme de tableau (matrice), c'est-à-dire que l'on accède à une case mémoire (aussi appelée point mémoire) par une ligne et une colonne.
Chaque point mémoire est donc caractérisé par une adresse, correspondant à un numéro de ligne (en anglais row) et un numéro de colonne (en anglais column). Or cet accès n'est pas instantané et s'effectue pendant un délai appelé temps de latence. Par conséquent l'accès à une donnée en mémoire dure un temps égal au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence.
Ainsi, pour une mémoire de type DRAM, le temps d'accès est de 60 nanosecondes (35ns de délai de cycle et 25 ns de temps de latence). Sur un ordinateur, le temps de cycle correspond à l'inverse de la fréquence de l'horloge, par exemple pour un ordinateur cadencé à 200 MHz, le temps de cycle est de 5 ns (1/(200*106)).
Par conséquent un ordinateur ayant une fréquence élevée et utilisant des mémoires dont le temps d'accès est beaucoup plus long que le temps de cycle du processeur doit effectuer des cycles d'attente (en anglais wait state) pour accèder à la mémoire. Dans le cas d'un ordinateur cadencé à 200 MHz utilisant des mémoires de types DRAM (dont le temps d'accès est de 60ns), il y a 11 cycles d'attente pour un cycle de transfert. Les performances de l'ordinateur sont d'autant diminuées qu'il y a de cycles d'attentes, il est donc conseillé d'utiliser des mémoires plus rapides.
Voila
Bref,...
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ExtremePC :